[29p-G20-3~20] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29p-G20-17] GaAsN 疑似混晶による量子井戸構造の形成 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○浦上法之¹，伊藤宏成¹，関口寛人¹，岡田浩^2,1，若原昭浩¹ (豊橋技科大工¹，EIIRIS²)

キーワード：疑似混晶、半導体