[29p-G20-3~20] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29p-G20-18] MOCVD 法によるGaP 基板上GaNAsP/GaP 3 重量子井戸の室温発光特性 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○（M2）古川聖紘，星野文哉，小林由貴，宮本智之 (東工大)

キーワード：MOCVD