2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[29p-G21-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月29日(金) 13:00 〜 19:00 G21 (B5号館 4F-2405)

[29p-G21-14] InGaN系発光ダイオードの効率改善 (4:45 PM ~ 5:00 PM)

Haziq Muhammad,弘田雄太郎,三好清太,山根啓輔,岡田成仁,只友一行 (山口大院理工)

キーワード:InGaN、発光ダイオード、有機金属気相成長法