[29p-G21-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

[29p-G21-15] △半極性面 {11-22} InGaN下地層を用いたLEDにおける下地層膜厚依存性 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○中尾洸太，三好清太，内田健充，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

キーワード：semipolar、GaN