[29p-G21-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

[29p-G21-19] MeTRe 法剥離による極薄 GaN 系素子の作製 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○廣木正伸，熊倉一英，小林康之，赤坂哲也，山本秀樹，牧本俊樹 (NTT物性研)

キーワード：GaN、BN