2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[29p-G21-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月29日(金) 13:00 〜 19:00 G21 (B5号館 4F-2405)

[29p-G21-19] MeTRe 法剥離による極薄 GaN 系素子の作製 (6:15 PM ~ 6:30 PM)

廣木正伸,熊倉一英,小林康之,赤坂哲也,山本秀樹,牧本俊樹 (NTT物性研)

キーワード:GaN、BN