[29p-G7-1~19] 14.1 探索的材料物性

[29p-G7-9] RFスパッタ法を用いた加熱基板上への多結晶BaSi₂膜の形成 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○ヌルル アブドゥルラティフ¹，米山貴裕¹，渋田見哲夫²，松丸慶太郎²，都甲薫¹，末益崇^1,3 (筑波大院　電子・物理工¹，東ソー²，JST-CREST³)

キーワード：環境半導体、BaSi2,、バリウムシリサイド