[29p-PA2-1~10] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29p-PA2-10] バイアスアニールを施したn型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

竹下浩司，^○中村成志，奥村次徳 (首都大理工)

キーワード：GaN、plasma、defect