[29p-PB1-1~20] 13.3 絶縁膜技術

[29p-PB1-10] W₂Cゲート電極とLa-silicateゲート絶縁膜を用いたMOSキャパシタの信頼性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○細田修平¹，Tuokedaerhan Kamale¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア¹，東工大総理工²)

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