[29p-PB4-1~25] 15.6 IV族系化合物

[29p-PB4-2] ▲HRXRD分析による高Al濃度4H-SiC厚膜の結晶構造評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（PC）紀世陽¹，児島一聡¹，石田夕起¹，加藤智久¹，吉田貞史¹，土田秀一²，奥村元¹ (産業技術総合研究所¹，電力中央研究所²)

キーワード：p-type 4H-SiC、Chemical vapor deposition、Lattice parameter