[29p-PB4-1~25] 15.6 IV族系化合物

[29p-PB4-4] △4H-SiC（0001）Si面上の局所的ステップバンチング発生原因の解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○佐々木雅之¹，田村謙太郎¹，迫秀樹¹，北畠真¹，児島一聡^1,2，松畑洋文^1,2 (フューペット¹，産総研²)

キーワード：半導体