2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

06.薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[30a-F2-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年3月30日(土) 09:00 〜 11:45 F2 (E3号館 3F-303)

[30a-F2-1] CAAC-IGZO TFT技術を応用したNOSRAMのMultilevel Cell実現の可能性 (9:00 AM ~ 9:15 AM)

井上広樹,石津貴彦,松嵜隆徳,大貫達也,熱海知昭,塩野入豊,加藤清,小山潤,山﨑舜平 (半導体エネルギー研究所)

キーワード:酸化物半導体、CAAC、IGZO