[30a-F2-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[30a-F2-3] MoOx抵抗変化メモリにおけるスイッチング特性とTEM内同時観察 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○工藤昌輝，大野裕輝，高見澤圭佑，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫 (北大院情報)

キーワード：透過型電子顕微鏡、抵抗変化型メモリ、TEMその場観察