[30a-F2-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[30a-F2-5] AFM電界酸化法を用いた超微細横型抵抗変化メモリの作製と動作特性 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○木下健太郎^1,2，福原貴博¹，岸田悟^1,2 (鳥取大工¹，鳥取大工ディスプレイセンター²)

キーワード：ReRAM、AFM電界酸化法、雰囲気依存