[30a-G12-1~15] 17.1 成長技術

[30a-G12-12] SiC(1 -1 0 11)面上エピタキシャルグラフェンの構造と電子物性 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○栗栖悠輔¹，田中悟¹，中辻寛²，小森文夫² (九大院工¹，東大物性研²)

キーワード：グラフェン、ナノ構造、SiC