[30a-G12-1~15] 17.1 成長技術

[30a-G12-13] CVD法によるSiC(0001)上エピタキシャルSixOyCz層へのグラフェンナノリボン形成 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○萩原好人，梶原隆司，中森弓弦，アントン ビシコフスキー，田中悟 (九大工院)

キーワード：SiC、nanoribbon、CVD