[30a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[30a-G21-6] △PSD法によるパターンサファイア基板上GaN薄膜成長 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○（P）上野耕平¹，井上茂²，太田実雄²，藤岡洋^2,3，尾嶋正治¹ (東大院工¹，東大生研²，JST-CRESST³)

キーワード：GaN