[30a-G7-1~10] 14.1 探索的材料物性

[30a-G7-7] 第一原理計算を用いたFドープTiO₂系のキャリア活性化率とTiOF₂生成の熱力学 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○神坂英幸¹，水口菜々子²，山下晃一²，長谷川哲也¹ (東大院理¹，東大院工²)

キーワード：DFT、半導体ドープ系、電子捕捉