[30p-A7-1~8] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[30p-A7-3] MBE法によるMn₄N薄膜の成長 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○安富陽子，佐内辰徳，伊藤啓太，都甲薫，末益崇 (筑波大院数理電物)

キーワード：Mn4N