[30p-G21-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

[30p-G21-3] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○石川陽一¹，古澤健太郎¹，田代公則¹，羽豆耕治¹，長尾哲²，池田宏隆²，藤戸健史²，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三菱化学²)

キーワード：HVPE GaN基板