[30p-G6-1~6] 13.4 配線技術

[30p-G6-1] 新しいRu-CVD/ALD原料を利用した次世代DRAMキャパシタ用電極形成プロセスの開発 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○Taewoong Kim，Takeshi Momose，Yukihiro Shimogaki (東大院工)

キーワード：Atomic Layer Deposition、Ruthenium、reflectivity measurement