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一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[17p-A8-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

2014年9月17日(水) 13:15 〜 18:00 A8 (E207)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食11:45～13:15 (11:45 〜 13:15)

13:15 〜 13:30

[17p-A8-1] シンクロトロン光・単色X線トポグラフィーによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の反りの高精度測定

^○嘉数誠¹，村上竜一¹，桝谷聡士¹，原田和也¹，角谷均² (佐賀大院¹，住友電工²)

13:30 〜 13:45

[17p-A8-2] ダイヤモンドp+(100)基板のX線トポグラフィー評価

^○大曲新矢，加藤有香子，梅沢仁，鹿田真一 (産総研ダイヤモンド)

13:45 〜 14:00

△ [17p-A8-3] X線回折法を用いたボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の物性評価

^○柴田将暢¹，蔭浦泰資¹，古閑三靖¹，山口尚秀²，高野義彦²，川原田洋¹ (早大理工¹，物材機構²)

14:00 〜 14:15

[17p-A8-4] 位相差顕微鏡によるダイヤモンド欠陥評価

^○加藤有香子，梅沢仁，鹿田真一 (産総研ユビキ)

14:15 〜 14:30

△ [17p-A8-5] ダイヤモンド中NVセンターの選択的な一軸方向制御

^○（M2）福井貴大¹，土井悠生¹，宮崎剛英²，宮本良之²，加藤宙光^2,3，松本翼^2,3，牧野俊晴^2,3，山崎聡^2,3，森本隆介⁴，徳田規夫⁴，波多野睦子^3,5，坂川優希¹，森下弘樹^1,3，田嶌俊之^1,3，三輪真嗣^1,3，鈴木義茂^1,3，水落憲和^1,3 (大阪大¹，産総研²，CREST³，金沢大⁴，東工大⁵)

14:30 〜 14:45

[17p-A8-6] ダイヤモンドへの低エネルギーSiイオン注入におけるSi-Vセンタ生成収率の評価

^○（M2）田村崇人¹，小池悟大¹，谷井孝至¹，寺地徳之²，小野田忍³，大島武³，Fedor Jelezko⁴，E Wu⁵，品田賢宏⁶，磯谷順一⁷，Liam P. Mcguinness⁴，Lachlan Rogers⁴，Christoph Müller⁴，Boris Naydenov⁴，Liu Yan⁵ (早大理工¹，物材機構²，原子力機構³，ウルム大⁴，華東師範大⁵，産総研⁶，筑波大⁷)

休憩14:45～15:00 (14:45 〜 15:00)

15:00 〜 15:15

[17p-A8-7] プラズマCVDダイヤモンドのリン取り込み効率温度依存性

^○（PC）山本卓，小泉聡 (物材機構)

15:15 〜 15:30

[17p-A8-8] オフ角の異なる(001)面リンドープダイヤモンド薄膜のX線光電子分光法による表面結合状態の評価

^○（D）川島宏幸^1,2,3，加藤宙光^2,3，竹内大輔^2,3，山崎聡^1,2,3 (筑波大¹，産総研²，JST/CREST³)

15:30 〜 15:45

[17p-A8-9] n型ダイヤモンド薄膜の表面平坦化による接触抵抗低減

^○（P）松本翼^1,2,3，川島宏幸^1,2,4，加藤宙光^1,2，竹内大輔^1,2，山崎聡^1,2,4 (産総研¹，CREST²，イノベーションスクール³，筑波大⁴)

15:45 〜 16:00

[17p-A8-10] リン添加n型ダイヤモンド上に形成した狭間隔電極間電流と電子放出

^○工藤唯義^1,2，竹内大輔^1,2，加藤宙光^1,2，牧野俊晴^1,2，小倉政彦^1,2，大串秀世^1,2，山崎聡^1,2,3 (産総研¹，CREST(JST)²，筑波大³)

16:00 〜 16:15

△ [17p-A8-11] (111)基板上のダイヤモンド横型p-n接合の作製

^○佐藤一樹¹，岩崎孝之^1,2,3，清水麻希^1,3，加藤宙光^3,4，牧野俊晴^3,4，小倉政彦^3,4，竹内大輔^3,4，山崎聡^3,4，波多野睦子^1,2,3 (東工大¹，ALCA²，CREST³，産総研⁴)

16:15 〜 16:30

[17p-A8-12] ダイヤモンドLEDにおける深紫外線発光の温度依存性

^○桑原大輔^1,2,3，牧野俊晴^2,3，加藤宙光^2,3，竹内大輔^2,3，小倉政彦^2,3，大串秀世^2,3，山崎聡^2,3 (筑波大¹，産総研エネ部門²，CREST/JST³)

休憩16:30～16:45 (16:30 〜 16:45)

16:45 〜 17:00

△ [17p-A8-13] 部分酸素終端(111)ダイヤモンド表面の真空熱処理による表面伝導回復

^○林佑哉，原壮志，瀬下裕志，袴田知宏，小野和子，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

17:00 〜 17:15

[17p-A8-14] H2O形成ALD-Al2O3膜によるダイヤモンド表面保護効果の同位体解析

^○平岩篤¹，齊藤達也²，大長央²，川原田洋² (早大ナノ理工¹，早大理工²)

17:15 〜 17:30

△ [17p-A8-15] MBE-SiO2膜下のダイヤモンド表面の電気物性

^○原壮志，袴田知宏，小野和子，瀬下裕志，林佑哉，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

17:30 〜 17:45

△ [17p-A8-16] ポストウェットアニールによるp型(111)ダイヤモンドへのオーミック接触の形成

^○南山拓真¹，宮田大輔¹，長南幸直¹，徳田規夫^1,2,3，小倉政彦^2,3，竹内大輔^2,3，山崎聡^2,3，猪熊孝夫¹ (金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，JST,CREST³)

17:45 〜 18:00

[17p-A8-17] AlN/ (111)面ダイヤモンドヘテロ接合界面の微細構造観察と電気的特性評価

^○井村将隆¹，劉江偉¹，廖梅勇¹，小出康夫¹，松元隆夫²，柴田直哉²，幾原雄一² (物材機構¹，東大²)