[18a-A12-1~9] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年9月18日(木) 09:15 〜 11:45 A12 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:15 〜 09:30

△ [18a-A12-1] レーザープロセスを利用したZnOナノ・マイクロ結晶のパターン成長

^○（D）下垣哲也¹，川原裕貴¹，中尾しほみ¹，原田浩輔¹，高橋将大¹，東畠三洋¹，中村大輔¹，中田芳樹²，岡田龍雄¹ (九大システム情報科学府¹，阪大レーザーエネルギー学研究センター²)

09:30 〜 09:45

^○（M2）薗田翔平，中村俊博，安達定雄 (群馬大院理工)

09:45 〜 10:00

^○大澤健男，橋口未奈子，坂口勲，大橋直樹 (物材機構)

10:00 〜 10:15

^○藤井克司¹，後藤武生²，八百隆文³ (東大GS+I¹，理研²，産総研³)

10:15 〜 10:30

^○（M1）肖貴宝，中村俊博，安達定雄 (群馬大院理工)

休憩10:30～10:45 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

^○松井裕章¹，古田晋也²，長谷部貴之³，蓮池紀幸⁴，田畑仁¹ (東大¹，巴製作所²，税関中央分析所³，京都工繊大⁴)

11:00 〜 11:15

^○山崎崇範¹，廣瀬靖^1,2,3，中尾祥一郎^2,3，原山勲⁴，関場大一郎⁴，長谷川哲也^1,2,3 (東大院理¹，KAST²，JST-CREST³，UTTAC⁴)

11:15 〜 11:30

^○賈軍軍，早瀬礼，吉田匡佑，中村新一，重里有三 (青学大理工)

11:30 〜 11:45

^○須古彩香¹，賈軍軍¹，中村新一¹，川嶋絵美²，宇都野太²，矢野公規²，重里有三¹ (青学大理工¹，出光興産²)