[18a-A24-1~13] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:30 A24 (E317)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[18a-A24-1] NH₃およびN₂を用いたAl薄膜の直接窒化によるAlN薄膜の形成

^○梶原舜，濱崎聖士，勝俣裕 (明大理工)

09:15 〜 09:30

▲ [18a-A24-2] Growth and Characterization of Eu-Doped GaN by Low-Temperature Organometallic Vapor Phase Epitaxy

^○朱婉新，Timmerman Dolf，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

09:30 〜 09:45

△ [18a-A24-3] Eu添加GaNにおけるZn,O共添加による新たなEu発光中心の形成

^○松田将明，朱婉新，児島貴徳，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

09:45 〜 10:00

△ [18a-A24-4] 局在表面プラズモン共鳴によるEu添加GaNのEu発光強度増大

^○（M2）稲葉智宏，児島貴徳，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

10:00 〜 10:15

△ [18a-A24-5] 二波長励起PL測定によるEu添加GaNのエネルギー輸送効率の評価

^○岡田浩平，若松龍太，Dolf Timmerman，児島貴徳，小泉敦，藤原康文 (阪大院工)

10:15 〜 10:30

[18a-A24-6] 各種基板上に成長したEu添加GaNにおけるEu発光中心間の相互エネルギー輸送に対する歪みの効果

^○小泉淳，若松龍太，ドルフティマーマン，田中一輝，児島貴徳，藤原康文 (阪大院工)

休憩10:30～10:45 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

[18a-A24-7] 酸化エルビウム薄膜における上位準位へのポピュレーション移動

^○俵毅彦^1,2，尾身博雄^1,2，Adel Najar¹，鍜治怜奈³，足立智³，後藤秀樹¹ (NTT物性基礎研¹，NTTナノフォトニクスセンタ²，北大院工³)

11:00 〜 11:15

[18a-A24-8] 酸化エルビウム混晶薄膜発光の温度依存性：エネルギー移動と非発光過程の考察

^○川上欣洋¹，鍜治怜奈¹，足立智¹，俵毅彦^2,3，尾身博雄^2,3 (北大院工¹，NTT物性基礎研²，NTTナノフォトニクスセンタ³)

11:15 〜 11:30

[18a-A24-9] Y₂SiO₅結晶中の¹⁶⁷Er³⁺イオンの超微細構造準位の位相緩和特性

^○橋本大佑¹，清水薫² (NTT物性基礎研¹，NTT物性基礎研²)

11:30 〜 11:45

▲ [18a-A24-10] Structural Characterization and Luminescence Properties of ErxSc2-xSi2O7 Prepared by RF Sputtering

^○Adel Najar¹，尾身博雄^1,2，俵毅彦^1,2 (NTT物性基礎研¹，NTTナノフォトニクスセンタ²)

11:45 〜 12:00

[18a-A24-11] (Er_1-xSc_x)₂O₃MBE成長膜中Er置換サイトのEr濃度依存性

^○尾身博雄^1,2，俵毅彦^1,2，鍛冶玲奈³，足立智³，後藤秀樹¹ (NTT物性基礎研¹，NTTナノフォトニクスセンタ²，北大工³)

12:00 〜 12:15

[18a-A24-12] ZnO膜中にドープされたEu2価イオンからの発光

^○赤沢方省¹，篠島弘幸² (NTT MI研¹，久留米高専²)

12:15 〜 12:30

[18a-A24-13] Nd-Al共添加TiO₂薄膜のPL特性と局所構造解析

^○相澤豊¹，小室修二²，平尾法恵³，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²，原子力機構³)