09:30 〜 11:30

▲ [18a-PA3-1] Highly Concentrated and Conductive Reduced Graphene Oxide Nanosheets by Monovalent Cation-pi Interaction

^〇Sooyeon Jeong (Korea electrotechnology research institute)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-2] アルコールガスソース法によるPd触媒からの単層カーボンナノチューブ成長

^○小澤顕成，才田隆広，成塚重弥，丸山隆浩 (名城大)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-3] 水素原子を用いたSiC表面のグラフェン形成温度の低温化

^○髙野昌伸¹，早尾貴史¹，山田晋平¹，成田克¹，末光眞希² (山形大工¹，東北大通研²)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-4] 酸化鉄微粉末を使用したカーボンナノコイルの高純度合成のための触媒構造と合成条件の検討

^○清水慶明¹，飯田哲生¹，丸山皓司¹，須田善行¹，滝川浩史¹，植仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴ (豊橋技科大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス⁴)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-5] プラズマ処理によるイオン注入4H-SiC上のp-typeグラフェン層の形成

^○（M1）椎名裕亮¹，青柳大輝¹，西村智朗²，中村徹¹ (法政大理工¹，法政大イオンビーム²)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-6] 有機物挿入テニオライトの焼成による炭素構造体の生成と評価

^○前角孝明，和田昇 (東洋大院工)

09:30 〜 11:30

△ [18a-PA3-7] 直接合成法を用いたグラフェンセンサアレイの作製

^○生田昂，金井康，大野恭秀，前橋兼三，松本和彦 (阪大産研)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-8] 層状WTe₂単結晶を用いた電界効果トランジスタ作製と評価

^○福島宏治，上野啓司 (埼玉大院理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-9] 層状遷移金属Se、Te化合物の化学気相成長

^○田崎直也，上野啓司 (埼玉大院理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-10] 前駆体溶液塗布膜からの大面積層状ダイカルコゲナイド薄膜の作製

^○黒崎祐太郎，上野啓司 (埼玉大院理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-11] SiC表面分解法におけるステップ端からのグラフェン成長シミュレーション

^○（M2）土井優太¹，井口綾佑¹，河村貴宏¹，鈴木泰之¹，寒川義裕²，柿本浩一² (三重大院工¹，九大応力研²)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-12] 有機物を用いた新しいグラフェンの作製方法

^○西村未来，加藤幹大，宇木権一，趙新為 (東理大)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-13] パルスアークプラズマ蒸着によるSiO₂/Si(111)基板上グラフェン層の形成Ⅳ

^○水野正也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曽我哲夫 (名古屋工大)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-14] レーザー照射法によるグラフェンの透明基板上直接合成

^○石橋祐輔，金井康，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (阪大産研)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-15] カーボン蒸着によるグラフェンの作製とNi結晶面の成長評価2

^○宇木権一¹，加藤幹大¹，西村未来¹，小室修二²，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-16] CNW-FETプロセスへの低温バッファー層の影響

^○河原敏男¹，中川幸紀¹，大野泰秀²，前橋謙三²，松本和彦²，岡本一将³，宇都宮里佐⁴，松葉晃明⁴，吉村雅満⁵，松岡佑樹⁵ (中部大工¹，阪大産研²，北大院工³，日新電機⁴，豊田工大工⁵)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-17] アルコールCVDによるNi上グラフェン合成におけるアニール時間依存性

^○岩田鷹明，岸直希，曽我哲夫 (名工大)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-18] インクジェット法で固定化した触媒を用いた垂直配向CNTの生成

^○林潤一，鈴木健吾，中村基訓，篁耕司 (旭川高専)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-19] 微量大気導入によるCVDグラフェンの低密度成長

^○（D）鈴木誠也，永守孝至，清住香奈，吉村雅満 (豊田工大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-20] SiC (0001) Si面バッファー層上へのＭＢＥによるグラフェン成長 –移動度の評価-

^○前田文彦，高村真琴，日比野浩樹 (NTT物性基礎研)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-21] アダマンタンを用いた熱CVDによるグラフェン膜の作製

^○吉田拓矢¹，野田三喜男²，山口誠二¹，内田秀雄¹，梅野正義¹，脇田紘一¹ (中部大¹，パルスプラズマ技研²)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-22] SiC(000-1)上B₄C薄膜のエピタキシャル成長

^○増森淳史¹，乗松航¹，楠美智子^1,2 (名大院工¹，名大エコ²)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-23] 6H-SiC上グラフェンにおける成長時間とキャリア密度の関係

^○宮本貴雄，小西敬太，佐藤威友 (北大RCIQE)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-24] ナノ膜厚触媒を用いた炭素膜の合成

^○楠本雄司¹，西森俊作¹，針谷達¹，小路紘史¹，古田寛^1,2，八田章光^1,2 (高知工科大¹，高知工科大総研ナノテクC²)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-25] グラフェンナノパターニングに向けたSiC初期酸化膜の周期構造

^○（M2）宮田将大¹，乗松航¹，楠美智子^1,2 (名大院工¹，名大エコ²)

09:30 〜 11:30

△ [18a-PA3-26] CVD成長によるMoS₂薄膜の合成と光電変換デバイスへ応用

^○壷井佑夏¹，王飛久¹，小澤大知¹，宮内雄平^1,2,3，毛利真一郎¹，松田一成¹ (京大エネ研¹，名大院理²，JST-PRESTO³)

09:30 〜 11:30

△ [18a-PA3-27] Au,Al₂O₃バリア層を用いたグラフェン析出法における核形成制御

^○山田純平，鈴木学，上田悠貴，成塚重弥，丸山隆弘 (名城大理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-28] 固相反応を用いた絶縁基板上へのグラフェンの直接合成(Ⅱ)

^○杉浦孝俊，若松裕司，Golap Kalita，種村眞幸 (名工大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-29] Cu表面上のCVDグラフェン成長に関する第一原理的研究

^○田島暢夫^1,2，金子智昭^1,2，奈良純^1,2，大野隆央^1,2,3 (物材機構¹，MARCEED²，東大生産研³)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-30] 非接触原子間力顕微鏡による銅基板上ナノカーボンの評価

^○鈴木仁¹，富成征弘²，田中秀吉² (広島大院先端研¹，情報通信研究機構²)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-31] 単層カーボンナノチューブアンジップの構造依存性

^○（D）福森稔¹，田中啓文²，根岸良太³，小林慶裕³，田中大輔¹，小川琢冶¹ (阪大院理¹，九工大院²，阪大院工³)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-32] 井戸型パターン絶縁基板上へのグラフェン転写

^○増山大祐，横田圭司，清野亮介，Zikri Muhammad，荻野俊郎 (横国大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-33] ナノカーボン材料の電子ビーム加工の分子シミュレーション(Ⅷ)

^○山本真也，朝山良樹，安田雅昭，川田博昭，平井義彦 (大阪府大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-34] ゲルカラムによる単層カーボンナノチューブの金属・半導体分離

^○片浦弘道，久保田真理子，都築真由美，平野篤，藤井俊治郎 (産総研ナノシス)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-35] カーボンナノコイルを対象とした電気特性測定系の構築と電気抵抗率の評価

^○清水慶明¹，中村康史¹，國本隆司¹，須田善行¹，滝川浩史¹，植仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴ (豊橋技科大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス⁴)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-36] 黒リンからなる単原子層フォスフォレンの光学特性

^○中村隆，小澤大知，毛利真一郎，松田一成 (京大エネ研)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-37] ダイヤモンド超格子における励起子発光

^○井上正裕¹，南康夫¹，片山郁文¹，関谷隆夫¹，渡邊幸志²，武田淳¹ (横国大院工¹，産総研²)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-38] 第一原理伝道計算によるピーポッドの輸送特性評価

^○岩瀬滋，小野倫也 (阪大工)

09:30 〜 11:30

▲ [18a-PA3-39] Study the valley polarization in monolayer WSe₂ by polarization-resolved photoluminescence spectroscopy

^○周利中¹，宮内雄平^1,2,3，毛利真一郎¹，Minglin Toh⁴，Zhao Weijie⁴，江田剛輝⁴，松田一成¹ (京大エネ研¹，日本科学技術振興機構²，名大院理³，シンガポール国立大⁴)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-40] 電子線照射したグラフェンのラマンスペクトル

^○田中宏和^1,2，平出璃音可^1,2，大塚洋一¹，友利ひかり^1,2，神田晶申^1,2 (筑波大数理¹，TIMS²)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-41] カーボンナノウォール薄膜の電気伝導度とその膜厚による変化

^○山本大貴，坂野允彦，小川大，伊藤貴司，野々村修一 (岐阜大工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-42] 周期的1軸ひずみを導入したグラフェン電界効果トランジスタ構造の作製と電気伝導評価

^○平出璃音可，田中宏和，片倉健太，大塚洋一，友利ひかり，神田晶申 (筑波大数理物質，学際物質セ)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-43] カーボンナノチューブ複合紙によるバックコンタクト型色素増感太陽電池の開発

^○井口広大，大矢剛嗣 (横国大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-44] カーボンナノチューブ複合糸を用いた糸トランジスタの力学的センサーへの応用検討

^○吉田将俊，大矢剛嗣 (横国大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-45] カーボンナノチューブ複合紙を用いた人工物メトリクス認証の高精度化

^○（M2）秋場誠，大矢剛嗣 (横国大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-46] カーボンナノチューブ複合紙を用いた新電磁波シールド構造と評価(3)

^○（M2）李搏决，大矢剛嗣 (横国大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-47] 単原子層Geナノリボンの電子移動度解析

^○森規泰¹，下井田健太¹，土屋英昭^1,3，鎌倉良成^2,3，森伸也^2,3，小川真人¹ (神戸大工¹，阪大工²，JST CREST³)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-48] 絶縁基板上グラフェンの電子移動度解析

^○平井秀樹¹，土屋英昭^1,3，鎌倉良成^2,3，森伸也^2,3，小川真人¹ (神戸大工¹，阪大工²，JST CREST³)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-49] ディラック電子をキャリアとするFETの性能予測シミュレーション

^○田中未来，小川真人，相馬聡文，笹岡健二 (神大院工)

09:30 〜 11:30

△ [18a-PA3-50] 印刷技術によるカーボンナノチューブ折り畳み電極の提案

^○本田航，有江隆之，秋田成司，竹井邦晴 (大阪府大)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-51] 擬似磁場効果を利用した歪みグラフェンFETの準解析的モデル提案

^○上山真之，笹岡健二，小川真人，相馬聡文 (神大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-52] 歪み誘起擬似磁場を利用したグラフェンＦＥＴのスイッチング機構における構造乱れの影響

^○堤賢一郎，笹岡健二，小川真人，相馬聡文 (神大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-53] 圧電性高分子ポリマーP(VDF-TrFE)被膜半導体単層カーボンナノチューブ薄膜FETに対するコロナポーリングの効果

^○井川剛志，吉澤武志，田畑博史，久保理，片山光浩 (阪大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-54] グラフェン電界効果トランジスタを用いたアルコールおよびケトンのセンサ特性評価

^○青柳敬之，ジェフリークロス，生駒俊之，田中順三 (東工大院理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PA3-55] グラフェン／シリセン／ゲルマネンナノリボンFETの性能比較

^○啓示クレンデネン¹，森伸也^1,3，土屋英昭^2,3 (阪大工¹，神戸大工²，JST CREST³)

09:30 〜 11:30

△ [18a-PA3-56] 硫化アンモニウムによるグラフェンFETへの化学ドーピング

^○石田昌平，安野裕貴，有江隆之，竹井邦晴，秋田成司 (大阪府大)

セッション情報

[18a-PA3-1~56] 17. ナノカーボン

▲ [18a-PA3-1] Highly Concentrated and Conductive Reduced Graphene Oxide Nanosheets by Monovalent Cation-pi Interaction

△ [18a-PA3-7] 直接合成法を用いたグラフェンセンサアレイの作製

△ [18a-PA3-26] CVD成長によるMoS2薄膜の合成と光電変換デバイスへ応用

△ [18a-PA3-27] Au,Al2O3バリア層を用いたグラフェン析出法における核形成制御

▲ [18a-PA3-39] Study the valley polarization in monolayer WSe2 by polarization-resolved photoluminescence spectroscopy

△ [18a-PA3-50] 印刷技術によるカーボンナノチューブ折り畳み電極の提案

△ [18a-PA3-56] 硫化アンモニウムによるグラフェンFETへの化学ドーピング

△ [18a-PA3-26] CVD成長によるMoS₂薄膜の合成と光電変換デバイスへ応用

△ [18a-PA3-27] Au,Al₂O₃バリア層を用いたグラフェン析出法における核形成制御

▲ [18a-PA3-39] Study the valley polarization in monolayer WSe₂ by polarization-resolved photoluminescence spectroscopy