^〇（DC）Juan Paolo Bermundo¹，Yasuaki Ishikawa¹，Haruka Yamazaki¹，Kulchaisit Chaiyanan¹，Mami Fujii¹，Toshiaki Nonaka²，Yukiharu Uraoka¹ (NAIST¹，AZ Electronic Materials²)

14:45 〜 15:00

[18p-A12-7] 大型スパッタカソードにおけるIGZO TFT特性の均一性向上

^○磯部辰徳，新井真，清田淳也，齋藤一也 (アルバック)

15:00 〜 15:15

[18p-A12-8] 低温プロセスで作製したa-IGZO TFTの特性評価

^○高梨泰幸，越智元隆，後藤裕史，釘宮敏洋 (神戸製鋼所)

休憩15:15～15:30 (15:15 〜 15:30)

15:30 〜 15:45

[18p-A12-9] 自己組織化単分子膜（SAM）によるa-InGaZnO/SiOx界面の修飾

^○（DC）戸田達也，是友大地，古田守 (高知工大)

15:45 〜 16:00

[18p-A12-10] 塗布型InZnO-FETsの動作安定性

^○岡田純¹，永瀬隆^1,2，小林隆史^1,2，内藤裕義^1,2 (大阪府立大¹，大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研²)

16:00 〜 16:15

[18p-A12-11] トップゲート効果を活用したa-InGaZnO TFT pHセンサ (1)

^○竹知和重¹，田邉浩¹，岩松新之輔²，矢作徹²，阿部泰²，小林誠也² (NLTテクノロジー¹，山形県工業技術センター²)

16:15 〜 16:30

[18p-A12-12] トップゲート効果を活用したa-InGaZnO TFT pHセンサ (2)

^○竹知和重¹，田邉浩¹，岩松新之輔²，矢作徹²，阿部泰²，小林誠也² (NLTテクノロジー¹，山形県工業技術センター²)

16:30 〜 16:45

[18p-A12-13] トップゲート効果を活用したa-InGaZnO TFT pHセンサ (3)

^○岩松新之輔¹，竹知和重²，阿部泰¹，矢作徹¹，田邉浩²，小林誠也¹ (山形県工技セ¹，NLTテクノロジー²)

16:45 〜 17:00

△ [18p-A12-14] AZO薄膜を電極に用いた透明酸化亜鉛薄膜トランジスタ

^○孫屹，前元利彦，佐々誠彦 (大工大ナノ材研センタ)

17:00 〜 17:15

[18p-A12-15] 低温プロセスで高移動度かつ高安定なa-InWO TFT

^○（PC）木津たきお，相川慎也，三苫伸彦，清水麻希，高旭，林孟芳，生田目俊秀，塚越一仁 (物材機構)

17:15 〜 17:30

△ [18p-A12-16] シリコン添加により制御された酸化インジウム薄膜トランジスタ

^○（PC）三苫伸彦，相川慎也，高旭，木津たきお，清水麻希，林孟芳，生田目俊秀，塚越一仁 (物材機構WPI-MANA)

セッション情報

[18p-A12-1~16] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [18p-A12-4] スピンコート法で作製したIGZO薄膜の特性に与える焼成温度と時間の影響

▼ [18p-A12-6] Suppression of hump effect in a-InGaZnO thin-film transistors passivated by novel photosensitive passivation layer

△ [18p-A12-14] AZO薄膜を電極に用いた透明酸化亜鉛薄膜トランジスタ

△ [18p-A12-16] シリコン添加により制御された酸化インジウム薄膜トランジスタ

[18p-A12-1~16] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス