09:15 〜 09:30
○平原颯太1,北村弘嗣1,植竹勇介1,長沢敏勝2,五十嵐敬2,大川和宏1 (東京理大理1,平山製作所2)
一般セッション(口頭講演)
06.薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
2014年9月19日(金) 09:15 〜 11:45 A10 (E214)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:15 〜 09:30
○平原颯太1,北村弘嗣1,植竹勇介1,長沢敏勝2,五十嵐敬2,大川和宏1 (東京理大理1,平山製作所2)
09:30 〜 09:45
○山内智,石橋和洋,冨田啓輔,今井洋 (茨城大工)
09:45 〜 10:00
○石野隼一1,新沼佳樹1,菊池昭彦1,2 (上智大理工1,上智大ナノテクセンター2)
10:00 〜 10:15
○新沼佳樹1,石野隼一1,菊池昭彦1,2 (上智大理工1,上智大ナノテクセンター2)
10:15 〜 10:30
○(M1)千葉知弥,工藤禎久,川村みどり,阿部良夫,金敬鎬 (北見工大)
10:30 〜 10:45
○杉本悠紀子1,菊池昭彦1,2 (上智大理工1,上智大ナノテクノロジー研究センター2)
10:45 〜 11:00
○金相澈1,山口竜典1,趙新為1,小室修二2 (東理大理1,東洋大理工2)
11:00 〜 11:15
○赤沢方省,福田浩,山田浩治,土澤泰,板橋聖一,嶋田勝,渡辺俊文 (NTT MI研)
11:15 〜 11:30
○奥村竜二,大久保貴雅,ゴラップ カリタ,種村眞幸,市川洋 (名工大)
11:30 〜 11:45
○(M1)馬越智之,金洙光,金敬鎬,阿部良夫,川村みどり (北見工大)