[19a-A12-1~10] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年9月19日(金) 09:00 〜 11:45 A12 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[19a-A12-1] 高キャリア密度 Ga 添加 ZnO 薄膜における近赤外光領域での光学損失：プラズモニクス応用へ

^○山本哲也，野本淳一，牧野久雄 (高知工科大総研)

09:15 〜 09:30

[19a-A12-2] Ga添加ZnO薄膜における表面化学状態に対する熱処理効果

^○牧野久雄^1,2，宋華平¹，岸本誠一³，野本淳一¹，山本哲也¹ (高知工科大総研¹，高知工科大システム工²，高知高専機械³)

09:30 〜 09:45

△ [19a-A12-3] クリティカルレイヤーを用いたスパッタAl添加ZnO透明電導電膜のキャリア輸送制御

^○野本淳一，牧野久雄，山本哲也 (高知工科大総研)

09:45 〜 10:00

[19a-A12-4] 表面テクスチャAZO透明導電膜の光吸収と電気的・結晶学的特性との関係

^○宮田俊弘，山中俊憲，宇於崎涼介，南内嗣 (金沢工大OEDS R&Dセンター)

10:00 〜 10:15

[19a-A12-5] 付着金属の電気化学効果によるTiO₂薄膜への電子ドープ

^○矢嶋赳彬，小池豪，西村知紀，鳥海明 (東大院工)

休憩10:15～10:30 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 10:45

[19a-A12-6] 微粒子層導入によるFTOガラスの高ヘイズ化と色素増感太陽電池への応用

^○大塚玲奈，高野貴文，村上遼，奥谷昌之 (静岡大院工)

10:45 〜 11:00

△ [19a-A12-7] スプレーCVD法によるTaドープSnO₂透明導電膜の作製と評価

^○白井寛之，服部祐樹，二宮善彦，佐藤厚，山田直臣 (中部大院)

11:00 〜 11:15

△ [19a-A12-8] 大気開放下によるSnO薄膜の作製とその物性評価

^○内田貴之¹，川原村敏幸²，藤田静雄¹ (京大院工¹，高知工大システム工学²)

11:15 〜 11:30

[19a-A12-9] ディップコートシード層への水溶液法によるZnO 薄膜の作製

^○（M2）松本拓也，安部功二 (名工大院)

11:30 〜 11:45

[19a-A12-10] ゾル-ゲル法によるMgO基板上へのNiO薄膜の作製

^○國分義弘，天野優太，阿部隆大，中込真二 (石巻専修大理工)