09:30 〜 09:45
○小野伸賢1,羽深等1,後藤昭広2 (横国大院工1,プレテック2)
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション
2014年9月19日(金) 09:30 〜 12:00 A15 (E306)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:30 〜 09:45
○小野伸賢1,羽深等1,後藤昭広2 (横国大院工1,プレテック2)
09:45 〜 10:00
○高橋広毅1,大川真樹2 (日立横研1,国際電気セミコンダクターサービス2)
10:00 〜 10:15
○工藤聡也,Nithi Atthi,大見俊一郎 (東工大)
10:15 〜 10:30
○荒木延恵,日髙洋美,宮下守也 (グローバルウェーハズ・ジャパン)
10:30 〜 10:45
○(M2)柴田大生,小林駿介,末岡浩治 (岡山県立大院)
休憩10:45~11:00 (10:45 〜 11:00)
11:00 〜 11:15
○山内淳,岸大季,宮澤美希 (慶大理工)
11:15 〜 11:30
○佐々木奨悟,中山隆史 (千葉大)
11:30 〜 11:45
○野口竜太郎1,光原昌寿2,山本圭介3,西田稔2,中島寛3,原徹4 (九大・総理工(院生)1,九大・総理工2,九大・産学連携センター3,物材機構4)
11:45 〜 12:00
○山本圭介1,王冬2,中島寛1 (九大産学連携センター1,九大総合理工学研究院2)