[19a-A25-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年9月19日(金) 09:00 〜 12:30 A25 (E318)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[19a-A25-1] 低純度Si精製に向けたジボラン（B₂H₆）選択除去手法の開発とその特性評価

^○大参宏昌，垣内弘章，安武潔 (阪大院工)

09:15 〜 09:30

△ [19a-A25-2] Self-consistent-charge density-functional tight-binding法を用いたアモルファスSiCのCVD成長機構の検討

^○（D）桑原卓哉，伊藤寿，樋口祐次，尾澤伸樹，久保百司 (東北大院工)

09:30 〜 09:45

[19a-A25-3] 分光エリプソメトリーおよび赤外分光によるa-SiO:Hネットワーク構造の評価

^○佐藤正規，細井優，藤原裕之 (岐大工院)

09:45 〜 10:00

[19a-A25-4] 光熱輻射分光法によるシリコン系薄膜の欠陥密度評価(Ⅱ)

^○近藤宏紀¹，安井彬絋²，松田耀右³，石井克典⁴，高橋昌吾⁵，吉田憲充⁶，野々村修一⁷ (岐阜大工¹，岐阜大工²，岐阜大工³，岐阜大工⁴，岐阜大工⁵，岐阜大工⁶，岐阜大工⁷)

10:00 〜 10:15

△ [19a-A25-5] 走査型非線形誘電率顕微鏡によるアモルファスシリコン太陽電池のpin接合の可視化

^○廣瀬光太郎，茅根慎通，長康雄 (東北大通研)

10:15 〜 10:30

[19a-A25-6] a-SiO_x:H薄膜の欠陥評価

^○松井研人¹，伊藤貴司¹，片山竜一¹，山川幸輝¹，斉藤潤²，杉山秀一郎²，Porponth Sichanugrist³，野々村修一¹，小長井誠³ (岐阜大工¹，シャープ²，東工大院理工³)

10:30 〜 10:45

[19a-A25-7] 光起電力顕微鏡によるa-Si:H系薄膜太陽電池の局所的発電特性評価

^○（M2）川口巧，栗山寛，松井研人，松浦知樹，山本大貴，稲吉芳紀，伊藤貴司，野々村修一 (岐阜大)

休憩10:45～11:00 (10:45 〜 11:00)

11:00 〜 11:15

[19a-A25-8] ケルビンプローブ顕微鏡を用いたSiヘテロ接合(SHJ)太陽電池における表面構造界面の局所的仕事関数測定

^○（PC）山田郁彦，神岡武文，立花福久，中村京太郎，大下祥雄，神谷格 (豊田工大)

11:15 〜 11:30

△ [19a-A25-9] a-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池特性における2層構造ITO膜を用いたスパッタイオン衝撃の影響解明

^○玉腰正人，松木伸行 (岐阜大)

11:30 〜 11:45

[19a-A25-10] n/i型a-Si:H層がp/i層に部分的に重なった構造の裏面電極型ヘテロ接合Si太陽電池の特性シミュレーション

^○野毛宏¹，齊藤公彦¹，佐藤愛子¹，金子哲也²，近藤道雄^1,3 (福島大¹，東海大工²，産総研³)

11:45 〜 12:00

[19a-A25-11] Cat-CVDを用いて作製したa-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池の極薄酸化膜形成による特性改善

^○及川貴史¹，大平圭介^1,2，松村英樹^1,2 (北陸先端大¹，JST CREST²)

12:00 〜 12:15

▲ [19a-A25-12] Optimum Design of Antireflection coating for Heterojunction Solar Cell with nc-3C-SiC:H Emitter

^○（D）Erick Ateto¹，Makoto Konagai¹，Shinsuke Miyajima^1,2 (Tokyo tech¹，Tokyo tech PVREC²)

12:15 〜 12:30

[19a-A25-13] セリウムをドープした酸化インジウム膜を備えるヘテロ接合太陽電池の優位性

^○小林英治，渡部嘉 (長州産業)