[19a-B3-1~9] 17.1 成長技術

2014年9月19日(金) 09:00 〜 11:45 B3 (ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:30

[19a-B3-1] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
Epitaxial Growth and Electronic Properties of Large Hexagonal Graphene Domains on Cu(111) Thin Film

^○吾郷浩樹¹，河原憲治¹，小川友以¹，田上翔太¹，Mark A. Bissett¹，辻正治¹，坂口英継¹，Roland J. Koch²，Felix Fromm²，Thomas Seyller²，小松克伊³，塚越一仁³ (九大¹，ケムニッツ工科大²，NIMS³)

09:30 〜 09:45

^○加藤幹大，西村未来，宇木権一，趙新為 (東理大理)

09:45 〜 10:00

^○内田優希^1,2，赤石暁^1,2，中村淳^1,2 (電通大院先進理工¹，JST-CREST²)

10:00 〜 10:15

^○高橋惇郎，加藤大樹，本間芳和 (東理大理)

休憩10:15～10:30 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 10:45

^○竹崎悠一郎¹，辻正治^1,2，吾郷浩樹^1,2,3 (九大院総理工¹，九大先導研²，JSTさきがけ³)

10:45 〜 11:00

^○太田勇二郎¹，水野清義¹，日比野浩樹²，辻正治^1,3，吾郷浩樹^1,3,4 (九大院総理工¹，NTT基礎研²，九大先導研³，JSTさきがけ⁴)

11:00 〜 11:15

^○鈴木弘朗，加藤俊顕，金子俊郎 (東北大院工)

11:15 〜 11:30

^○井上雅文，安野裕貴，竹井邦晴，秋田成司，有江隆之 (大阪府大)

11:30 〜 11:45

^〇Subash Sharma，Golap Kalita，Remi Papon，Masaki Tanemura (Nagoya Institute of technology)