一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-A10-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年9月19日(金) 13:15 〜 19:00 A10 (E214)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食11:45～13:15 (11:45 〜 13:15)

13:15 〜 13:30

△ [19p-A10-1] ペロブスカイトMn酸化物エピタキシャル薄膜触媒を用いた酸素還元反応の活性評価

^○黒崎諒¹，菅大介¹，大山純²，折笠有基²，内本喜晴²，島川祐一^1,3 (京大化研¹，京大人環²，JST-CREST³)

13:30 〜 13:45

△ [19p-A10-2] Li脱挿入によるLiTi₂O₄超伝導-絶縁状態間の可逆的スイッチング

^○丹羽三冬¹，吉松公平¹，大島孝仁¹，大友明^1,2 (東工大院理工¹，東工大元素戦略²)

13:45 〜 14:00

△ [19p-A10-3] 無限層構造を持つ銅酸化物超伝導体薄膜への電場誘起キャリアドーピング

^○（M2）清河文雄，林昭悟，上野和紀 (東京大総合文化)

14:00 〜 14:15

△ [19p-A10-4] Sr₂IrO₄薄膜へのキャリアドーピングによる金属絶縁体転移

^○伊藤正人^1,2，打田正輝³，小塚裕介³，高橋圭²，川﨑雅司^2,3 (東北大金研¹，理研CEMS²，東大院工³)

14:15 〜 14:30

△ [19p-A10-5] IrO₂における結晶方位に依存したキャリアの符号変化

^○打田正輝¹，高橋圭²，小塚裕介¹，十倉好紀^1,2，川﨑雅司^1,2 (東大院工¹，理研CEMS²)

14:30 〜 14:45

[19p-A10-6] IrO₂薄膜の作製

^○侯秀一，高橋竜太，ミックリップマー (東大物性研)

14:45 〜 15:00

△ [19p-A10-7] パイロクロア型イリジウム酸化物ヘテロ接合における磁気ドメイン境界の制御と界面伝導の観測

^○藤田貴啓¹，佐野航¹，打田正輝¹，小塚裕介¹，塚﨑敦^2,3，有馬孝尚^4,5，川﨑雅司^1,5 (東大院工¹，東北大金研²，JSTさきがけ³，東大新領域⁴，理研CEMS⁵)

15:00 〜 15:15

△ [19p-A10-8] ZnFe₂O₄/ZnCr₂O₄ 超格子薄膜の作製とフラストレート磁性の制御

^○村田智城¹，打田正輝¹，小塚裕介¹，川﨑雅司^1,2 (東大院工¹，理研CEMS²)

15:15 〜 15:30

△ [19p-A10-9] La_0.7Ca_0.3MnO₃薄膜表面における構造・電子状態の原子スケール観察

^○清水亮太¹，岩谷克也²，大澤健男³，中村俊也⁴，安藤康伸⁴，南谷英美⁴，渡邉聡⁴，一杉太郎^1,5 (東北大AIMR¹，理研²，物材機構³，東大工⁴，JSTさきがけ⁵)

15:30 〜 15:45

[19p-A10-10] La_0.75Ca_0.25MnO₃薄膜表面における構造・電子状態の第一原理計算

^○中村俊也¹，安藤康伸¹，南谷英美¹，清水亮太²，岩谷克也³，大澤健男⁴，一杉太郎^2,5，渡邉聡¹ (東大工¹，東北大WPI-AIMR²，理研³，物材機構⁴，JSTさきがけ⁵)

15:45 〜 16:00

△ [19p-A10-11] EuO薄膜におけるトポロジカルホール効果

^○大内祐貴¹，打田正輝¹，小塚裕介¹，上野和紀^2,3，塚崎敦^2,4，川﨑雅司^1,5 (東大院工¹，東大院総合²，東北大金研³，JST-PRESTO⁴，理研CEMS⁵)

16:00 〜 16:15

△ [19p-A10-12] 酸化物ヘテロ構造中の酸素八面体傾斜の伝搬

^○佐藤理子¹，菅大介¹，麻生亮太郎¹，倉田博基^1,2，島川祐一^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

休憩16:15～16:30 (16:15 〜 16:30)

16:30 〜 16:45

△ [19p-A10-13] 外部応力印加によるVO2薄膜の相転移温度制御

^○安藤峻¹，賈軍軍¹，伊村正明²，金井敏正²，重里有三¹ (青学大理工¹，日本電気硝子²)

16:45 〜 17:00

△ [19p-A10-14] 金属-絶縁体相転移をまたぐVO₂薄膜の熱伝導率の温度依存性

^○鬼塚日奈子¹，八木貴志²，山下雄一郎²，賈軍軍¹，中村新一¹，竹歳尚之²，重里有三¹ (青学大理工¹，産総研²)

17:00 〜 17:15

[19p-A10-15] VO₂/W:VO₂ヘテロ構造を用いた金属絶縁体転移の非局所性の評価

^○矢嶋赳彬，西村知紀，鳥海明 (東大院工)

17:15 〜 17:30

[19p-A10-16] サイドゲート型VO₂ナノワイヤ電界効果トランジスタによるイオンドーピング電気伝導変調率の向上と拡散長評価

^○（M2）佐々木翼，神吉輝夫，田中秀和 (阪大産研)

17:30 〜 17:45

[19p-A10-17] VO₂ナノ細線を用いた局所ペルチェ効果による可逆金属-絶縁体相転移制御

高見英史，^○神吉輝夫，田中秀和 (阪大産研)

17:45 〜 18:00

[19p-A10-18] 走査型プローブ顕微鏡を用いた極小VO₂ナノ細線の電気伝導特性評価

^○（M1）左海康太郎，服部梓，神吉輝夫，田中秀和 (阪大産研)

18:00 〜 18:15

[19p-A10-19] 金属元素ドープVO2薄膜における抵抗変化係数と抵抗率の温度履歴幅の相関

^○宮崎憲一¹，渋谷圭介²，鈴木愛美¹，岩城隆雄¹，和戸弘幸¹，藤田淳一³，澤彰仁² (デンソー基礎研¹，産総研²，筑波大³)

18:15 〜 18:30

[19p-A10-20] TiN導電層上へのVO₂薄膜の成長と積層方向への相転移特性

^○シュルズモハメッド，沖村邦雄 (東海大院理工)

18:30 〜 18:45

[19p-A10-21] 反応性スパッタ法における基板バイアス印加によるVO₂薄膜の結晶成長制御

^○蘇魁，Bintiazhan Nurulhanis，沖村邦雄 (東海大工)

18:45 〜 19:00

[19p-A10-22] 金属及びSi基板上へのWadsley相V₆O₁₃及びVO₂(B) 薄膜の選択成長

^○Bintiazhan Nurulhanis，沖村邦雄 (東海大院理工)

セッション情報

[19p-A10-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-A10-1] ペロブスカイトMn酸化物エピタキシャル薄膜触媒を用いた酸素還元反応の活性評価

△ [19p-A10-2] Li脱挿入によるLiTi2O4超伝導-絶縁状態間の可逆的スイッチング

△ [19p-A10-3] 無限層構造を持つ銅酸化物超伝導体薄膜への電場誘起キャリアドーピング

△ [19p-A10-4] Sr2IrO4薄膜へのキャリアドーピングによる金属絶縁体転移

△ [19p-A10-5] IrO2における結晶方位に依存したキャリアの符号変化