昼食12:00~13:30 (12:00 〜 13:30)
セッション情報
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション
[19p-A15-1~12] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション
2014年9月19日(金) 13:30 〜 16:45 A15 (E306)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
13:30 〜 13:45
○多田哲也,原未来也,ウラジミール ポボロッチ (産総研)
13:45 〜 14:00
〇Vladimir Poborchii,Yukinori Morita,Tetsuya Tada (NeRI-AIST)
14:00 〜 14:15
○金田千穂子 (富士通研究所)
14:15 〜 14:30
○竹内大智1,牧原克典1,大田晃生2,池田弥央3,宮崎誠一1 (名大院工1,名大VBL2,広大院先端研3)
14:30 〜 14:45
○山田敬久1,牧原克典1,池田弥央2,宮崎誠一1 (名大院工1,広大院先端研2)
14:45 〜 15:00
○井辻宏章1,2,小林大輔1,2,廣瀬和之1,2 (東大院工1,宇宙研2)
休憩15:00~15:15 (15:00 〜 15:15)
15:15 〜 15:30
○関野勇樹1,横田義徳1,伊藤早苗1,青木伸俊1,石丸一成1,宮野清孝2 (東芝S&S社1,NFT2)
15:30 〜 15:45
○鈴木晃人1,神岡武文2,鎌倉良成3,渡邉孝信1 (早大理工1,豊田工大2,阪大院工3)
15:45 〜 16:00
○服部淳一1,2,3,宇野重康2,3 (産総研1,立命館大2,JST, CREST3)
16:00 〜 16:15
○図師知文1,3,大毛利健治2,山田啓作2,渡邉孝信1 (早大理工1,筑波大2,学振特別研究員DC23)
16:15 〜 16:30
○高橋綱己1,2,内田建1,2 (慶應大理工電子工1,CREST, JST2)
16:30 〜 16:45
○小林大輔1,2,伊藤大智1,廣瀬和之1,2 (JAXA宇宙研1,東大院工2)