[19p-A17-1~11] 13.2 絶縁膜技術

2014年9月19日(金) 14:00 〜 17:00 A17 (E308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

昼食12:30～14:00 (12:30 〜 14:00)

14:00 〜 14:15

[19p-A17-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
HfO2成膜前アニールにより形成したGaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上

^○小田穣，入沢寿史，ジェバスワンウィパコーン，前田辰郎，上牟田雄一，手塚勉 (産総研GNC)

14:15 〜 14:30

^○（M2）後藤高寛^1,2，藤川紗千恵¹，藤代博記¹，小倉睦郎²，安田哲二²，前田辰郎^1,2 (東京理科大院¹，産総研²)

14:30 〜 14:45

^○野崎義人，関口哲志，平岩篤，川原田洋 (早大ナノ機構)

14:45 〜 15:00

^○梁池昂生¹，横平知也¹，山田大地¹，王谷洋平¹，関渓太²，佐藤哲也²，福田幸夫¹ (諏訪東京理科大¹，山梨大²)

15:00 〜 15:15

^○王谷洋平¹，梁池昂生¹，横平知也¹，山田大地¹，関渓太²，佐藤哲也²，福田幸夫¹ (諏訪東京理科大¹，山梨大²)

15:15 〜 15:30

^○（M2）長岡裕一¹，永冨雄太¹，山本圭介²，王冬¹，中島寛² (九大院総合理工学府¹，九大産学連携センター²)

休憩15:30～15:45 (15:30 〜 15:45)

15:45 〜 16:00

^○（D）韓在勲^1,2，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

16:00 〜 16:15

^○（M2）松岡悠斗，岩崎好孝，上野智雄 (農工大工)

16:15 〜 16:30

^○新井田淳平，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大工)

16:30 〜 16:45

^○中谷友哉，新井田淳平，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大工)

16:45 〜 17:00

^○柴山茂久^1,2，吉田鉄兵¹，加藤公彦¹，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)