一般セッション(ポスター講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.5 化合物太陽電池

[19p-PB3-1~27] 14.5 化合物太陽電池

2014年9月19日(金) 13:30 〜 15:30 PB3 (第2体育館)

ポスター掲示時間13:30～15:30(PB3会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[19p-PB3-1] AlGaAs/GaAs太陽電池における表面再結合制御

^○浦部宏之^1,2，倉本真^1,2，中野朋洋^1,2，河原塚篤²，牧本俊樹¹，堀越佳治² (早大理工¹，JST-CREST²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-2] GaAsおよびInGaP太陽電池を用いた波長スプリッティング低倍率集光型PVシステムの屋外発電特性評価

^○細野藍響¹，石井奏真¹，小川洋平¹，増田祐耶²，岡本保¹，植田譲³，小長井誠² (木更津高専¹，東京工業大²，東京理科大³)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-3] 波長スプリッティングを用いた太陽電池の高効率化

^○滝口雄貴¹，竹井雄太郎²，増田祐耶¹，Porponth Sichanugrist¹，Zacharie Jehl³，中田時夫³，小長井誠^1,4 (東工大院理工¹，東工大工²，東京理科大総研³，東工大PVREC⁴)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-4] 異種材料直接接合によるInGaP/GaAs/Siタンデムセル

^○重川直輝¹，柴麗¹，森本雅史¹，梁剣波¹，鬼塚隆祐²，安居院高明²，十楚博行²，高本達也² (大阪市大工¹，シャープ²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-5] 多接合太陽電池におけるルミネッセンスカップリングの変換効率に与える影響

^○（P）小倉暁雄，曽我部東馬，岡田至崇 (東大)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-6] GaAs/AlGaAs量子ナノディスク太陽電池の中間バンド内の輸送を考慮したドリフト拡散シミュレーション

^○（P）小倉暁雄，曽我部東馬，岡田至崇 (東大)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-7] InAs/AlGaAs量子ドット太陽電池における電界減衰層の導入効果

^○庄司靖¹，玉置亮¹，Alejandro Datas²，Antonio Martí²，Antonio Luque²，岡田至崇¹ (東大先端研¹，マドリード工科大²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-8] Al_xGa_1-xAs/GaAs超格子太陽電池における障壁層厚さの効果

^○倉本真^1,2，浦部宏之^1,2，中野朋洋^1,2，河原塚篤^1,2，西永慈郎^1,2，牧本俊樹¹，堀越佳治^1,2 (早大理工¹，JST-CREST²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-9] 結合量子ドット構造の光学吸収特性のドット形状依存性

^○武藤庸平，笹岡健二，相馬聡文，小川真人 (神大院工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-10] 中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長

^○鈴木智也¹，長田一輝¹，八木修平¹，内藤俊弥²，土方泰斗¹，岡田至崇²，矢口裕之¹ (埼玉大理工¹，東大先端研²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-11] 電着法によるFeSe薄膜の作製と物性評価

^○長屋智紀，高橋誠，鈴木崇也，田橋正浩 (中部大)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-12] Cu₂SnS₃薄膜とn型半導体におけるバンドアライメントの検討

佐藤宗一，^○鷲見浩貴，史冠男，杉山睦 (東理大理工／総研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-13] CZTSプリカーサにおける硫化過程のTG/DTA

^○（PC）鷲尾司^1,2，神保和夫¹，片桐裕則^1,2 (長岡高専¹，JST-CREST²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-14] 固相法によるCu₂ZnSnS₄多結晶成長

^○渡辺裕介¹，三浦宏記¹，沈用球²，脇田和樹¹ (千葉工大¹，阪大院工²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-15] 化合物プリカーサのセレン化によるCu₂ZnSnSe₄薄膜の作製Ⅱ

中嶋崇喜，湯川翔平，楠本健悟，^○山口利幸 (和歌山高専)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-16] 移動ヒーター法によるCu₂ZnSn(S_x,Se_1-x)₄単結晶成長

^○永岡章^1,4，吉野賢二²，三宅秀人³，野瀬嘉太郎¹ (京大院工¹，宮崎大工²，三重大工³，学振特別研究員PD⁴)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-17] カソードスパッタによるCdS:O薄膜の構造と光学特性

^○中嶋将大¹，淺葉亮¹，鈴木昭典¹，沈用球²，Khuraman Khalilova³，Nazim Mamedov³，Ayaz Bayramov³，Emil Huseynov³，脇田和樹¹ (千葉工大¹，大府大院工²，アゼルバイジャン物理研³)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-18] SnS薄膜の硫化条件がPL特性へ与える影響

^○三上俊太郎，平松昂，杉山睦 (東理大理工／総研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-19] CdSフリーCIGS及びSnS太陽電池に向けたRFスパッタ法によるアモルファスZn-Sn-Oバッファ層の検討

張紹偉，村上優行，^○中井洋志，杉山睦 (東理大理工／総研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-20] 電気化学測定を用いたカルコゲナイド薄膜のキャラクタリゼーション

^○池田茂¹，Wilman Septina¹，川崎義人¹，峯元高志²，野瀬嘉太郎³，松村道雄¹ (阪大太陽エネ研セ¹，立命館大理工²，京大工³)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-21] 電気化学インピーダンス法を用いた陽子線照射によるCIGS太陽電池の界面欠陥の検討

坂倉秀徳，近藤良紀，^○横井翼，板垣昌幸，杉山睦 (東理大理工／総研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-22] CIGS薄膜太陽電池の作製とZn添加の検討

^○吉田正吾，岸田貴志，弓達新治，宮田晃，白方祥 (愛媛大院理工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-23] スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温作製とCu(In,Ga)Se₂太陽電池への応用

^○（M1）濱地健太¹，富永姫香¹，持原晶子¹，吉野賢二¹，峯元高志²，Jiang Feng³，池田茂³ (宮崎大¹，立命館大²，阪大³)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-24] PLD法によるCuInS₂エピタキシャル薄膜

^○吉田亮¹，曽柏翰¹，沈用球²，脇田和樹¹ (千葉工大¹，大府大院工²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-25] MEE法を用いたGaAs (001)基板上へのCIS-CGS低温成長

^○谷口龍希，サティアバマティル，堀越佳治，牧本俊樹 (早大理工)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-PB3-26] Optimization of CIGSe bottom cell for spectral splitting device application

^〇Zacharie Jehl，Hirofumi Fukai，Isamu Matsuyama，Tokio Nakada (Tokyo University of Science)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-27] 水溶液中Cu-In合金ナノ粒子合成法の開発と化合物太陽電池塗布形成への応用

^○藤木洋成，横山俊，高橋英志，田路和幸 (東北大環境)

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[19p-PB3-1~27] 14.5 化合物太陽電池

▲ [19p-PB3-26] Optimization of CIGSe bottom cell for spectral splitting device application