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一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-A10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年9月20日(土) 09:30 〜 12:00 A10 (E214)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[20a-A10-1] MOD法によるBaTiO₃薄膜の抵抗変化動作特性の検討

^○橋本修平，張子洋，山下馨，野田実 (京工繊工芸)

09:45 〜 10:00

[20a-A10-2] Si基板上エピタキシャルFe₃O_4-δナノドットの抵抗変化特性とそのアニール処理依存性

^○（M2）松井秀紀¹，中村芳明^1,2，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ-JST²)

10:00 〜 10:15

[20a-A10-3] Mnナノドット埋め込みSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性

^○荒井崇¹，大田晃生²，牧原克典¹，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大VBL²)

10:15 〜 10:30

[20a-A10-4] Rational Concept for Designing Vapor-Liquid-Solid Growth of Metal Oxide Nanowire

Annop Klamchuen，^○柳田剛，長島一樹，金井真樹，川合知二 (阪大産研)

10:30 〜 10:45

[20a-A10-5] Pt/Nb-SrTiO₃ショットキー接合における過渡的な振舞い

^○菅大介¹，島川祐一^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

10:45 〜 11:00

[20a-A10-6] 同一ReRAMフィラメントに対する抵抗スイッチング特性の電極材料依存性

^○高相圭¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

11:00 〜 11:15

△ [20a-A10-7] 超微細抵抗変化メモリにおけるリセット過程のパルススイッチング特性

^○森山拓洋¹，高相圭¹，小石遼介¹，木村康平¹，越江祐介¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

11:15 〜 11:30

△ [20a-A10-8] NiO薄膜を用いた抵抗変化型メモリにおける2つのモードを有するフォーミング

^○篠倉弘樹，西佑介，岩田達哉，木本恒暢 (京大院工)

11:30 〜 11:45

[20a-A10-9] NiO薄膜中電気化学現象の歪み場依存性

^○杉山一生¹，Yunseok Kim²，Stephen Jesse³，Evgheni Strelcov³，Amit Kumar⁴，Vivek Shenoy⁵，柴田直哉¹，山本剛久^6,7，Sergei Kalinin³，幾原雄一^1,7,8 (東大工¹，Sungkyunkwan大²，ORNL³，Queen's大⁴，Pennsylvania大⁵，名大量子⁶，JFCC⁷，東北大WPI⁸)

11:45 〜 12:00

[20a-A10-10] 導電性ブリッジメモリ(CB-RAM)におけるブリッジ形成機構の再考

^○（M2C）榎本雄太郎¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)