[20a-A12-1~10] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年9月20日(土) 09:00 〜 11:45 A12 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[20a-A12-1] c面サファイア基板上への単結晶ZnO膜の形成: 格子不整合系ヘテロエピタキシーにおける成長初期過程の表面形態の影響

^○板垣奈穂^1,2，井出智章¹，松島宏一¹，山下大輔¹，徐鉉雄¹，古閑一憲¹，白谷正治¹ (九大シス情¹，JSTさきがけ²)

09:15 〜 09:30

^○（M2）三好佑弥，佐久間大樹，松久健司，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大工)

09:30 〜 09:45

^○（M1）松久健司，佐久間大樹，三好佑弥，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

09:45 〜 10:00

^○千葉博，川島知之，鷲尾勝由 (東北大院工)

10:00 〜 10:15

^○安倍大，川島知之，鷲尾勝由 (東北大院)

休憩10:15～10:30 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 10:45

^○（PC）原田善之^1,2，鈴木摂²，知京豊裕^1,2，角谷正友¹ (物材機構¹，コメット²)

10:45 〜 11:00

Hou-Ren Chen，Yu-Cheng Huang，^〇Wen-Feng Hsieh (Department of Photonics & Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University)

11:00 〜 11:15

^○遠藤治之¹，大橋律男²，佐藤秀幸³，Mohamed Belmoubarik³，高橋強¹，野崎友大³，佐橋政司³，柏葉安兵衛⁴ (岩手県工技センタ¹，イーエムシー半導体²，東北大工³，岩手大⁴)

11:15 〜 11:30

^○藤田恭久¹，清山拓史¹，狩野祐太¹，阿部耕介²，平儀野雄斗¹，橋本英樹³，吉田俊幸¹ (島根大院総理¹，島根大総理²，島根大戦略的研究推進センター³)

11:30 〜 11:45

^○中川玲¹，阿部貴美¹，千葉鉄也¹，中川美智子¹，高橋修三¹，千葉茂樹¹，柏葉安宏²，小島勉¹，新倉郁生¹，柏葉安兵衛¹，長田洋¹ (岩手大¹，仙台高専²)