[20a-PA3-1~7] 13.2 絶縁膜技術

2014年9月20日(土) 09:30 〜 11:30 PA3 (第1体育館)

ポスター掲示時間9:30～11:30(PA3会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:30 〜 11:30

[20a-PA3-1] 高温高湿下で絶縁膜上に形成されるシリコン酸化層

^○奥友希¹，奥村学²，志賀俊彦¹，戸塚正裕¹，渡辺斉¹ (三菱電機¹，メルコセミコンダクターエンジニアリング²)

09:30 〜 11:30

^○高見貴弘，和田誠，遠田義晴 (弘前大院理工)

09:30 〜 11:30

^○（M2）鈴木亜嵐¹，永島大樹²，林宏紀²，小林清輝^1,2 (東海大院工¹，東海大工²)

09:30 〜 11:30

^○（M1）田中伸，内藤慎二，小林清輝 (東海大院工)

09:30 〜 11:30

^○戸村有佑¹，蓮沼隆¹，山部紀久夫¹，右田真司² (筑波大¹，産総研²)

09:30 〜 11:30

^○橋口誠広¹，志村昂亮¹，功刀遼太¹，知京豊裕³，小椋厚志^4,6，佐藤真一^5,6，渡邉孝信^1,2,6 (早大理工¹，早大ナノ機構²，物材機構³，明大理工⁴，兵庫県立大⁵，JST-CREST⁶)

09:30 〜 11:30

^○宮田典幸¹，大竹晃浩²，市川昌和³，森貴洋¹，安田哲二¹ (産総研¹，物材機構²，東大院工³)