一般セッション(口頭講演)

[18a-A7-1~11] 9.4 熱電変換

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:00 A7 (E206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[18a-A7-1] 層状オキシサルファイドLaCuSOの輸送特性における銅欠陥の効果

^○木下寛己，棚木麻衣，大草裕己，後藤陽介，澁谷泰蔵，的場正憲，神原陽一 (慶大理工)

09:15 〜 09:30

[18a-A7-2] Ca₃Co₄O₉の熱電物性に及ぼす3d遷移金属元素の添加効果

^○立入聖悟¹，佐々木実²，大西彰正²，北浦守² (山形大院理工¹，山形大理²)

09:30 〜 09:45

▲ [18a-A7-3] Al-doped ZnO Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition Technique: Effect of Substrate Crystallinity on Thermoelectric Performance

^〇Paolo Mele¹，Shrikant Saini¹，Hiroaki Honda¹，Kaname Matsumoto²，Koji Miyazaki²，Harutoshi Hagino²，Ataru Ichinose³，Leopoldo Molina-Luna⁴，Patrick Hopkins⁵ (Hiroshima University¹，Kyushu Institute of Technology²，CRIEPI³，Technical University of Darmstadt (Germany)⁴，University of Virginia (USA)⁵)

09:45 〜 10:00

▲ [18a-A7-4] Decreased thermal conductivity in Bi₂Sr₂Co₂O_x bulk materials prepared by partial melting processing way

^〇Emmanuel Combe，Ryoji Funahashi，Tristan Barbier (AIST Kansai)

10:00 〜 10:15

[18a-A7-5] 熱発電チューブによる廃棄物焼却施設での排熱回収試験

^○菅野勉¹，酒井章裕¹，高橋宏平¹，草田英夫¹，玉置洋正¹，Sophie Linh Repussard^1,2，山田由佳¹ (パナソニック先端技研¹，ENSICAEN²)

10:15 〜 10:30

[18a-A7-6] シリサイド熱電モジュールの耐久性向上に関する研究

^○舟橋良次¹，松村葉子¹，鈴木亮輔²，勝山茂³ (産総研¹，北大工²，阪大工³)

休憩10:30～10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-A7-7] Bi₂Te₃熱電材料薄膜からのテラヘルツ電磁波発生に見られる超高速ゼーベック効果

^○高橋宏平，菅野勉，酒井章裕，玉置洋正，草田英夫，山田由佳 (パナソニック先端技研)

11:00 〜 11:15

[18a-A7-8] AC-DC法を用いたトムソン係数の温度依存性の測定

^○天谷康孝，山本淳，阿子島めぐみ，藤木弘之，金子晋久 (産総研)

11:15 〜 11:30

[18a-A7-9] 3ω法における温度振幅の複素解析

^○（D）西野俊佑，小矢野幹夫，大平圭介 (北陸先端大)

11:30 〜 11:45

[18a-A7-10] 銅ニッケル合金におけるフォノン伝導の非平衡分子動力学シミュレーション

^○小西優祐，浅井美博 (産総研ナノシステム)

11:45 〜 12:00

[18a-A7-11] ZnS単結晶における光ゼーベック効果

^○白石祐芽，岡崎竜二，谷口博基，寺崎一郎 (名大院理)

一般セッション(口頭講演)

[18p-A7-1~16] 9.4 熱電変換

2014年9月18日(木) 13:00 〜 17:30 A7 (E206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食12:00～13:00 （12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[18p-A7-1] Co_1-xNi_xSb₃の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化

^○梶川靖友 (島根大総合理工)

13:15 〜 13:30

[18p-A7-2] 低温でのp型CoSb₃の輸送および熱電特性に関する実験データの解析

^○梶川靖友 (島根大総合理工)

13:30 〜 13:45

[18p-A7-3] Bi-Sb系バルク材料の作製と熱電物性の評価

^○村田正行¹，山本淳¹，長谷川靖洋²，小峰啓史³ (産総研¹，埼玉大²，茨城大³)

13:45 〜 14:00

[18p-A7-4] ウルマナイトNiSbSの電子物性と3d遷移金属置換効果Ⅱ

^○（M2）宮田全展¹，尾崎泰助^1,2，小矢野幹夫¹ (北陸先端大¹，東大物性研²)

14:00 〜 14:15

△ [18p-A7-5] 層状カルコゲン化合物CuCrX₂(X = Se, S)の熱電特性における不純物効果

^○（DC）矢野力三，笹川崇男 (東工大応セラ研)

休憩14:15～14:30 （14:15 〜 14:30）

14:30 〜 14:45

[18p-A7-6] 単結晶Ba₈Au_xSi_46-xクラスレートを用いた新たな熱-電力変換メカニズム

^○宗藤伸治，刑部有紀，足立爽太，下西圭佑，大中皓允，鬼塚裕介，古君修 (九大工)

14:45 〜 15:00

△ [18p-A7-7] 温度差を必要としない新たな熱-電力変換メカニズムの理論解析

^○足立爽太，刑部有紀，宗藤伸治，古君修 (九大工)

15:00 〜 15:15

[18p-A7-8] Wを過剰に固溶させた高マンガンシリサイドMnSiγの熱電物性

^○竹内恒博^1,2，広石尚也³ (豊田工大¹，JST さきがけ²，名大³)

15:15 〜 15:30

[18p-A7-9] Chimney-ladder型MnSi_γにおけるV置換効果

菊池祐太，^○宮﨑讓，中條隆貴，林慶 (東北大院工)

15:30 〜 15:45

▲ [18p-A7-10] Thermoelectric properties enhancement of a new silicide compound by cationic substitution

^〇Tristan Barbier，Ryoji Funahashi，Emmanuel Combe，Tomonari Takeuchi，Masahiro Shikano (AIST Kansai)

15:45 〜 16:00

[18p-A7-11] ２次元窒化物AMN₂の電子状態と熱電変換輸送特性

^○大久保勇男，森孝雄 (物材機構)

休憩16:00～16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[18p-A7-12] 意図的に導入されたドーパントの空間不均一性によるシリコンナノワイヤのパワーファクター増強効果

Fuwei Zhuge¹，^○柳田剛¹，長島一樹¹，金井真樹¹，深田直樹²，内田健³ (阪大産研¹，物材機構²，慶大理工³)

16:30 〜 16:45

[18p-A7-13] エピタキシャル鉄シリサイドナノドット積層構造の熱電特性

^○（D）山阪司祐人¹，中村芳明^1,2，鶴崎晋也¹，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ-JST²)

16:45 〜 17:00

△ [18p-A7-14] 直径700nm Biナノワイヤーのホール係数測定とキャリア移動度評価

^○村田正行¹，山本淳¹，長谷川靖洋²，小峰啓史³ (産総研¹，埼玉大²，茨城大³)

17:00 〜 17:15

[18p-A7-15] 単結晶及び多結晶シリコンナノワイヤーの熱伝導特性比較

^○（M2）鹿毛雄太¹，Maire Jeremie²，Moser Dominik⁴，Paul Oliver⁴，野村政宏^1,3,4 (東大院¹，LIMMS²，ナノ量子機構³，フライブルク大⁴)

17:15 〜 17:30

▲ [18p-A7-16] Temperature dependence of thermal conductivity for Si nanostructures

^○Jeremie Maire^1,2，野村政宏^1,3 (東大生研¹，LIMMS²，ナノ量子機構³)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-PA5-1~8] 9.4 熱電変換

2014年9月19日(金) 16:00 〜 18:00 PA5 (第1体育館)

ポスター掲示時間16:00～18:00(PA5会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[19p-PA5-1] 大気中におけるCoSb_2.85Te_0.15/Ti界面の電極界面の耐久性試験

^○山本淳，長瀬和夫 (産総研)

16:00 〜 18:00

[19p-PA5-2] Pドープ SOI層のゼーベック係数におけるフォノンドラッグ効果

^○（P）サレファイズ¹，織田琢郎¹，鈴木悠平¹，鎌倉良成²，池田浩也¹ (静大電研¹，阪大²)

16:00 〜 18:00

[19p-PA5-3] 水溶液を反応場とするBi₂Te₃熱電変換ナノ粒子の粒子径制御法の開発

^○（M2）佐藤恵太，横山俊，高橋英志，田路和幸 (東北大環境)

16:00 〜 18:00

[19p-PA5-4] 第一原理計算による半導体シリサイドCa3Si4の熱電特性

^○籔内真，黒崎洋輔，早川純 (日立中研)

16:00 〜 18:00

△ [19p-PA5-5] めっき法を用いたビスマステルライド系薄膜熱電モジュールの開発と物性評価

^○初田直樹¹，武井美博²，松岡健¹，奥畑充啓²，高尻雅之¹ (東海大院工¹，東海大工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PA5-6] 炭素置換したY_xAl_yB_14-zC_z(x ~ 0.56)の合成と熱電特性

^○丸山恵史，森孝雄 (物材機構)

16:00 〜 18:00

△ [19p-PA5-7] 塑性成型法によって作製したカルシウム・コバルト酸化物熱電材料の表面形態と熱電特性(IV)

^○（M2）奥山剛史¹，杉山泰庸¹，小川清²，田橋正浩¹，高橋誠¹，後藤英雄¹ (中部大¹，オザワ科学²)

16:00 〜 18:00

△ [19p-PA5-8] LiCoO₂への2価元素置換効果とその熱電特性

^○水野州，内藤智之，藤代博之 (岩手大)

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09．応用物性 » 9.4 熱電変換

[18a-A7-1~11] 9.4 熱電変換

[18a-A7-1] 層状オキシサルファイドLaCuSOの輸送特性における銅欠陥の効果

[18a-A7-2] Ca₃Co₄O₉の熱電物性に及ぼす3d遷移金属元素の添加効果

▲ [18a-A7-3] Al-doped ZnO Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition Technique: Effect of Substrate Crystallinity on Thermoelectric Performance

▲ [18a-A7-4] Decreased thermal conductivity in Bi₂Sr₂Co₂O_x bulk materials prepared by partial melting processing way

[18a-A7-5] 熱発電チューブによる廃棄物焼却施設での排熱回収試験

[18a-A7-6] シリサイド熱電モジュールの耐久性向上に関する研究

[18a-A7-7] Bi₂Te₃熱電材料薄膜からのテラヘルツ電磁波発生に見られる超高速ゼーベック効果

[18a-A7-8] AC-DC法を用いたトムソン係数の温度依存性の測定

[18a-A7-9] 3ω法における温度振幅の複素解析

[18a-A7-10] 銅ニッケル合金におけるフォノン伝導の非平衡分子動力学シミュレーション

[18a-A7-11] ZnS単結晶における光ゼーベック効果

[18p-A7-1~16] 9.4 熱電変換

[18p-A7-1] Co_1-xNi_xSb₃の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化

[18p-A7-2] 低温でのp型CoSb₃の輸送および熱電特性に関する実験データの解析

[18p-A7-3] Bi-Sb系バルク材料の作製と熱電物性の評価

[18p-A7-4] ウルマナイトNiSbSの電子物性と3d遷移金属置換効果Ⅱ

△ [18p-A7-5] 層状カルコゲン化合物CuCrX₂(X = Se, S)の熱電特性における不純物効果

[18p-A7-6] 単結晶Ba₈Au_xSi_46-xクラスレートを用いた新たな熱-電力変換メカニズム

△ [18p-A7-7] 温度差を必要としない新たな熱-電力変換メカニズムの理論解析

[18p-A7-8] Wを過剰に固溶させた高マンガンシリサイドMnSiγの熱電物性

[18p-A7-9] Chimney-ladder型MnSi_γにおけるV置換効果

▲ [18p-A7-10] Thermoelectric properties enhancement of a new silicide compound by cationic substitution

[18p-A7-11] ２次元窒化物AMN₂の電子状態と熱電変換輸送特性

[18p-A7-12] 意図的に導入されたドーパントの空間不均一性によるシリコンナノワイヤのパワーファクター増強効果

[18p-A7-13] エピタキシャル鉄シリサイドナノドット積層構造の熱電特性

△ [18p-A7-14] 直径700nm Biナノワイヤーのホール係数測定とキャリア移動度評価

[18p-A7-15] 単結晶及び多結晶シリコンナノワイヤーの熱伝導特性比較

▲ [18p-A7-16] Temperature dependence of thermal conductivity for Si nanostructures

[19p-PA5-1~8] 9.4 熱電変換

[19p-PA5-1] 大気中におけるCoSb_2.85Te_0.15/Ti界面の電極界面の耐久性試験

[19p-PA5-2] Pドープ SOI層のゼーベック係数におけるフォノンドラッグ効果

[19p-PA5-3] 水溶液を反応場とするBi₂Te₃熱電変換ナノ粒子の粒子径制御法の開発

[19p-PA5-4] 第一原理計算による半導体シリサイドCa3Si4の熱電特性

△ [19p-PA5-5] めっき法を用いたビスマステルライド系薄膜熱電モジュールの開発と物性評価

[19p-PA5-6] 炭素置換したY_xAl_yB_14-zC_z(x ~ 0.56)の合成と熱電特性

△ [19p-PA5-7] 塑性成型法によって作製したカルシウム・コバルト酸化物熱電材料の表面形態と熱電特性(IV)

△ [19p-PA5-8] LiCoO₂への2価元素置換効果とその熱電特性

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09．応用物性 » 9.4 熱電変換

[18a-A7-1~11] 9.4 熱電変換

▲ [18a-A7-3] Al-doped ZnO Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition Technique: Effect of Substrate Crystallinity on Thermoelectric Performance

▲ [18a-A7-4] Decreased thermal conductivity in Bi2Sr2Co2Ox bulk materials prepared by partial melting processing way

[18p-A7-1~16] 9.4 熱電変換

△ [18p-A7-5] 層状カルコゲン化合物CuCrX2(X = Se, S)の熱電特性における不純物効果

△ [18p-A7-7] 温度差を必要としない新たな熱-電力変換メカニズムの理論解析

▲ [18p-A7-10] Thermoelectric properties enhancement of a new silicide compound by cationic substitution

△ [18p-A7-14] 直径700nm Biナノワイヤーのホール係数測定とキャリア移動度評価

▲ [18p-A7-16] Temperature dependence of thermal conductivity for Si nanostructures

[19p-PA5-1~8] 9.4 熱電変換

△ [19p-PA5-5] めっき法を用いたビスマステルライド系薄膜熱電モジュールの開発と物性評価

△ [19p-PA5-7] 塑性成型法によって作製したカルシウム・コバルト酸化物熱電材料の表面形態と熱電特性(IV)

△ [19p-PA5-8] LiCoO2への2価元素置換効果とその熱電特性

▲ [18a-A7-4] Decreased thermal conductivity in Bi₂Sr₂Co₂O_x bulk materials prepared by partial melting processing way

△ [18p-A7-5] 層状カルコゲン化合物CuCrX₂(X = Se, S)の熱電特性における不純物効果

△ [19p-PA5-8] LiCoO₂への2価元素置換効果とその熱電特性