PDF ダウンロード スケジュール 9 いいね! 0 11:30 〜 11:45 [17a-A17-10] 150mmφ4H-SiC C面エピ成長におけるキャリア濃度分布向上 ○西尾譲司1,2,浅水啓州1,3,工藤千秋1,4,伊藤佐千子5,升本恵子1,5,田村謙太郎1,3,児島一聡1,5,大野俊之1,6 (FUPET1,東芝2,ローム3,パナソニック4,産総研5,日立6) キーワード:SiC,epitaxy,均一性