[17a-A17-1~13] 15.6 IV族系化合物

[17a-A17-11] 横型CVD装置を用いたSiCエピ膜成長における実効C/Si比変化

^○工藤千秋^1,2，升本恵子^1,5，浅水啓州^1,3，田村謙太郎^1,3，西尾譲司^1,4，児島一聡^1,5，大野俊之^1,6 (FUPET¹，パナソニック²，ローム³，東芝⁴，産総研⁵，日立⁶)

キーワード：炭化珪素,エピタキシャル成長