PDF ダウンロード スケジュール 7 いいね! 0 10:30 〜 10:45 [17a-A17-7] 溶液法基板上4H-SiCエピタキシャル成長層における遷移金属の評価 ○旦野克典1,関章憲1,齋藤信1,白井嵩幸1,鈴木寛1,坂元秀光1,佐藤和明1,別所毅1,木本恒暢2 (トヨタ自動車1,京大工2) キーワード:SiC,拡散