[17a-A27-1~11] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

△ [17a-A27-10] CBr₄流量変調によるInP系DHBTの組成傾斜InGaAsSbベース形成

^○（D）星拓也^1,3，柏尾典秀¹，杉山弘樹¹，横山春喜¹，栗島賢二¹，井田実¹，松崎秀昭¹，神徳正樹¹，後藤秀樹^2,3 (NTTフォトニクス研¹，NTT物性基礎研²，筑波大院³)

キーワード：インジウムガリウム砒素アンチモン,ヘテロ接合バイポーラトランジスタ,四臭化炭素