[17a-A27-1~11] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17a-A27-11] f_t/f_max>450GHzの高周波特性を有する高電流利得InP/InGaAs DHBT

^○柏尾典秀，栗島賢二，井田実，松崎秀昭 (NTTフォトニクス研)

キーワード：HBT,高周波特性,InP