[17a-A27-1~11] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17a-A27-6] 貫通転位が InSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析

^○初芝正太¹，長井彰平¹，藤川紗千恵¹，原紳介²，遠藤聡²，渡邊一世^1,2，笠松章史²，藤代博記^1,2 (東理大院基礎工¹，情報通信研究機構²)

キーワード：InSb,HEMT,貫通転位