[17a-A27-1~11] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17a-A27-9] 表面活性化接合を用いた基板トランスファInP HBT作製に関する検討

^○白鳥悠太¹，柏尾典秀¹，栗島賢二¹，星拓也¹，日暮栄治²，松崎秀昭¹ (NTTフォトニクス研¹，東大²)

キーワード：InP,HBT,表面活性化接合