[17a-A6-1~9] 6.5 表面物理・真空

[17a-A6-3] Ge/Si(111)ヘテロエピタキシャル成長過程におけるSi(111)7×7表面再構成ストレスのその場観察

^○魚住雄輝^1,2，山崎達也³，朝岡秀人¹ (原子力機構¹，日立パワーソリューションズ²，エイコーエンジニアリング³)

キーワード：表面再構成,シリコン,水素終端