[17a-PA3-1~7] 13.4 デバイス／集積化技術

[17a-PA3-4] 基板貼り合わせ法により作製したSi上フロントゲートGaSb-OI p-MOSFETの動作実証

^○西康一^1,2，横山正史¹，横山春喜^2,3，星拓也^2,3，杉山弘樹^2,3，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST CREST²，NTTフォトニクス研³)

キーワード：GaSb