2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

印刷

一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.4 デバイス／集積化技術

[17p-A16-1~14] 13.4 デバイス／集積化技術

2014年9月17日(水) 14:00 〜 17:45 A16 (E307)

17:15 〜 17:30

[17p-A16-13] Ni/HfO2/Pt抵抗変化メモリにおける強磁性導通フィラメントの形成

○大塚慎太郎，浜田佳典，伊藤大介，清水智弘，新宮原正三 (関西大)

キーワード：抵抗変化メモリ,ReRAM,磁気抵抗効果