[17p-B1-4~15] 17.2 構造制御・プロセス

[17p-B1-6] Siインターカレーションによるグラフェン／SiC界面構造と電子状態

^○（M2）木本真一¹，飯盛拓嗣²，アントン ビシコフスキー¹，梶原隆司¹，小森文夫²，田中悟¹ (九大院工¹，東大物性研²)

キーワード：インターカレーション,界面構造,電子状態