[17p-PA5-1~22] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-PA5-18] Ta:SnO₂透明導電膜における低基板温度でのシード層の有効性

^○中尾祥一郎^1,2，山田直臣³，廣瀬靖^1,2,4，長谷川哲也^1,2,4 (KAST¹，CREST²，中部大³，東大理⁴)

キーワード：酸化スズ